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资料编号:513802
 
资料名称:NDS8852H
 
文件大小: 349.57K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half Bridge
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa n-ch 30 V
V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa
p-ch -30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v n-ch 2 µ一个
T
J
= 55
o
C
25 µ一个
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v p-ch -2 µ一个
T
J
= 55
o
C
-25 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
所有 -100 nA
在 特性
(便条 3)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=250 µa
n-ch 1 1.7 2.8 V
T
J
= 125
o
C
0.7 1.2 2.2
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
p-ch -1 -1.6 -2.8
T
J
= 125
o
C
-0.85 -1.25 -2.5
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=10 v,I
D
=3.4一个
n-ch 0.06 0.08
T
J
= 125
o
C 0.08 0.13
V
GS
=4.5 v,I
D
=2.8一个
0.08 0.11
V
GS
= -10 v,I
D
= -3.4一个 p-ch 0.11 0.13
T
J
= 125
o
C
0.15 0.21
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -2.8一个 0.17 0.2
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
=10 v, v
DS
=5V
n-ch 10 一个
V
GS
= -10 v, v
DS
= -5V p-ch -10
g
FS
向前 跨导
V
DS
=15v, i
D
=3.4一个
n-ch 6 S
V
DS
= -15v, i
D
= -3.4 一个 p-ch 4
动态特性
C
iss
输入 电容 n-频道
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
p-频道
V
DS
= -15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
n-ch 300 pF
p-ch 330
C
oss
输出 电容 n-ch 190 pF
p-ch 190
C
rss
反转 转移 电容 n-ch 70 pF
p-ch 70
nds8852h rev. c1
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