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资料编号:513803
 
资料名称:NDS8858H
 
文件大小: 350.72K
   
说明
 
介绍:
Complementry MOSFET Half Bridge
 
 


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nds8858h rev. c
0 5 10 15 20 25
0
4
8
12
16
20
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
D
FS
v = 10v
DS
125°C
25°C
-20-16-12-8-40
0
3
6
9
12
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
25°C
D
FS
v = -10v
DS
125°C
典型 电的 和 热的 特性
图示 20.p-频道跨导 变化
和 流 电流 和 温度.
图示 19.n-频道跨导 变化 和
流 电流 和 温度.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0.5
1
1.5
2
2.5
2oz 铜 挂载 垫子 范围 (在 )
稳步的-状态 电源 消耗 (w)
2
1c
1b
1a
4.5"x5" fr-4 板
t = 25 c
安静的 空气
一个
o
图示 23. 所以-8 单独的 设备 直流 电源 消耗 相比
铜 挂载 垫子 范围.
图示 21.n-频道身体 二极管 向前 电压
变化 和 电流 和 温度
.
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v =0v
GS
SD
S
图示 22.p-频道身体 二极管 向前
电压 变化 和 电流 和
温度
.
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
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