首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:513804
 
资料名称:NDS8928
 
文件大小: 354.56K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号NDS8928的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa n-ch 20 V
V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa
p-ch -20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 16 v,V
GS
= 0 v n-ch 1 µ一个
T
J
= 55
o
C
10 µ一个
V
DS
= -16v,V
GS
= 0 v p-ch -1 µ一个
T
J
= 55
o
C
-10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 8 v,V
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -8 v,V
DS
= 0 v
所有 -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=250 µa
n-ch 0.4 0.6 1 V
T
J
= 125
o
C
0.3 0.35 0.8
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
p-ch -0.4 -0.7 -1
T
J
= 125
o
C
-0.3 -0.5 -0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=4.5 v,I
D
=5.5一个
n-ch 0.029 0.035
T
J
= 125
o
C 0.04 0.063
V
GS
=2.7 v,I
D
=5一个
0.035 0.045
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -3.8一个 p-ch 0.06 0.07
T
J
= 125
o
C
0.085 0.126
V
GS
= -2.7 v,I
D
= -3.2一个 0.082 0.1
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
=4.5 v, v
DS
=5V
n-ch 20 一个
V
GS
=2.7 v, v
DS
=5V 10
V
GS
= -4.5v, v
DS
= -5V
p-ch -15
V
GS
=-2.7 v, v
DS
=-5V -5
g
FS
向前 跨导
V
DS
=10v, i
D
=5.5一个
n-ch 14 S
V
DS
= -10v, i
D
= -3.8一个 p-ch 9
动态特性
C
iss
输入 电容 n-频道
V
DS
= 10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
p-频道
V
DS
= -10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
n-ch 760 pF
p-ch 1120
C
oss
输出 电容 n-ch 440 pF
p-ch 470
C
rss
反转 转移 电容 n-ch 160 pF
p-ch 145
NDS8928rev.d
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com