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资料编号:513807
 
资料名称:NDS9958
 
文件大小: 360.86K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa n-ch 20 V
V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa
p-ch -20
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 16v,V
GS
= 0 v n-ch 1 µ一个
T
J
=70°C 5 µ一个
V
DS
= -16v,V
GS
= 0 v
p-ch -1 µ一个
T
J
=70°C
-5 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
所有 -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
=250 µa n-ch 1 1.5 3 V
T
J
= 125°c 0.7 1.1 2.2
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
p-ch -1 -2.2 -3
T
J
= 125°c
-0.8 -1.9 -2.5
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
=10 v,I
D
=3.5一个 n-ch 0.062 0.1
T
J
= 125°c 0.085 0.14
V
GS
= -10 v,I
D
= -3.5一个
p-ch 0.08 0.1
T
J
= 125°c
0.11 0.16
V
GS
=6v,I
D
=3.0一个
n-ch 0.073 0.12
V
GS
=-6v,I
D
=-3.0一个
p-ch 0.112 0.12
V
GS
=4.5 v,I
D
=1.0一个
n-ch 0.08 0.15
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -1.0一个
p-ch 0.165 0.19
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
=10 v, v
DS
=5V
n-ch 14 一个
V
GS
= -10 v, v
DS
= -5V
p-ch -14
V
GS
=4.5v, v
DS
=5V
n-ch 3.5
V
GS
= -4.5v, v
DS
= -5V
p-ch -2.5
g
FS
向前 跨导
V
DS
=15v, i
D
=3.5一个
n-ch 7 S
V
DS
= -15v, i
D
= -3.5一个
p-ch 5
动态特性
C
iss
输入 电容 n-频道
V
DS
= 10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
p-频道
V
DS
= -10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
n-ch 525 pF
p-ch 785
C
oss
输出 电容 n-ch 315 pF
p-ch 500
C
rss
反转 转移 电容 n-ch 185 pF
p-ch 245
nds9958.sam
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