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资料编号:513807
 
资料名称:NDS9958
 
文件大小: 360.86K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds9958.sam
0 1 2 3
0
6
12
18
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
6.0
5.0
4.5
4.0
3.5
2.5
v = 10v
GS
DS
D
3.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 10v
GS
i = 3.5a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = 250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
0 2 4 6 8 10
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 3.5v
GS
D
r , normalized
ds(在)
4.0
6.0
10
4.5
5.0
0 3 6 9 12 15
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
t = 125°c
J
25°C
D
v = 10 v
GS
-55°c
r , normalized
ds(在)
典型 电的 特性: n-频道
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 with门 电压
和 流 电流.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度.
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 门 门槛 变化 和
温度.
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
2
4
6
8
10
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25
125
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
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