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资料编号:513807
 
资料名称:NDS9958
 
文件大小: 360.86K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds9958.sam
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.95
1
1.05
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压 (v)
i = -250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
100
200
300
500
1000
1500
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 18. 损坏 电压 变化 和
温度.
图示 19. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 电流 和 温度
图示 20.电容 特性.
典型 电的 特性
:
P-频道
(持续)
0 5 10 15 20
-10
-8
-6
-4
-2
0
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = -3.5a
DS
v = -5v
DS
-10v
-15v
图示 21. 门 承担 特性
图示 22. 跨导 变化 和 流
电流 和 温度.
-15-12-9-6-30
0
2
4
6
8
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
25°C
125°C
v = -15v
DS
D
FS
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