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资料编号:513816
 
资料名称:NDS0605
 
文件大小: 62.67K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds0605.sam
-10-8-6-4-20
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = -10v
GS
DS
D
-8
-7
-6
-5
-4
-9
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
i = -0.5a
v = -10v
D
GS
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
v = v
i = -1毫安
D
DS GS
v , normalized
th
-1.4-1.2-1-0.8-0.6-0.4-0.20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
t = 125°c
J
-55
D
r , normalized
ds(在)
125
25
-55
V
-4.5v
-10v
GS
25
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性
图示 2. 在-阻抗 变化 with
电压 和 流 电流
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度
图示 5. 转移 特性 图示 6. 门 门槛 变化 和
温度
-10-8-6-4-20
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25
125
v = -10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
-1.4-1.2-1-0.8-0.6-0.4-0.20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -4v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-5
-7
-8
-9
-10
-6
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