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资料编号:513816
 
资料名称:NDS0605
 
文件大小: 62.67K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds0605.sam
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压 (v)
i = -10µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.1
0.2
0.3
0.5
1
1.5
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
v = 0v
GS
t = 125°c
J
25
-55
SD
S
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
-10
-8
-6
-4
-2
0
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
-48
v = -12v
DS
i = -0.5a
D
-24
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 30 60
2
3
5
10
20
30
50
70
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
-1.4-1.2-1-0.8-0.6-0.4-0.20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
25
D
FS
v = -10v
DS
125
图示 7. 损坏 电压 变化 和
温度
图示 8. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 电流 和 温度
图示 9.电容 特性
图示 10. 门 承担 特性
图示 11.跨导 变化 和 流
电流 和 温度
典型 电的 特性
(持续)
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