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资料编号:513827
 
资料名称:NDS8410
 
文件大小: 265.68K
   
说明
 
介绍:
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nds8410 rev b2
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
10
20
30
40
50
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
6.0
4.0
3.5
v =10vGS
DS
D
3.0
2.5
5.0
4.5
0 10 20 30 40 50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 3.0v
GS
D
r , normalized
ds(在)
3.5
6.0
10
4.5
5.0
4.0
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压.
典型 电的 特性
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 10v
GS
i = 10a
D
r , normalized
ds(在)
0 10 20 30 40 50
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
t = 125°c
J
25°C
D
v = 10 v
GS
-55°c
r , normalized
ds(在)
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度.
1 2 3 4 5
0
10
20
30
40
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = 250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
图示 5. 转移 特性.
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度.
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