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资料编号:513832
资料名称:
NDS8961
文件大小: 331.09K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
lectrical 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
=
250 µa
30
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24
v,
V
GS
= 0 v
1
µ
一个
T
J
= 55
o
C
10
µA
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20
v,
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20
v,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=
250 µa
1
1.6
3
V
T
J
= 125
o
C
0.7
1.2
2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 10
v,
I
D
= 3.1
一个
0.072
0.1
Ω
T
J
= 125
o
C
0.107
0.18
V
GS
= 4.5
v,
I
D
= 2
.6
一个
0.116
0.15
I
D
(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10
v, v
DS
= 5
V
10
一个
V
GS
= 4.5
v, v
DS
= 5
V
4
g
FS
向前 跨导
V
DS
=
10
v,
I
D
=
3.1
一个
4.3
S
动态
特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 15
v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
190
pF
C
oss
输出 电容
120
pF
C
rss
反转 转移 电容
40
pF
切换
特性
(便条 2
)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 10
v, i
D
=
1 一个,
V
GS
= 10
v, r
GEN
= 6
Ω
7
15
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
15
30
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
14
28
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
3
6
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
=
10
v,
I
D
= 3.1
一个, v
GS
=
10
V
7.1
10
nC
Q
gs
门-源 承担
1.2
nC
Q
gd
门-流 承担
1.9
nC
nds8961 rev.d
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