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资料编号:513837
资料名称:
NDS9956
文件大小: 341.13K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
30
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24
v,
V
GS
= 0 v
2
µ
一个
T
J
= 55°c
25
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=
250 µa
1
1.7
2.8
V
T
J
= 125°c
0.7
1.2
2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=
10 v,
I
D
=
2.2
一个
0.06
0.08
Ω
T
J
= 125°c
0.08
0.13
V
GS
=
4.5 v,
I
D
=
1.0
一个
0.08
0.11
T
J
= 125°c
0.11
0.18
I
D
(在)
在-状态 流 电流
V
GS
=
10 v, v
DS
=
10
V
15
一个
V
GS
=
4.5 v, v
DS
=
10
V
3.5
g
FS
向前 跨导
V
DS
=
15
v, i
D
=
3.7
一个
6
S
动态
特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 10
v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
320
pF
C
oss
输出 电容
225
pF
C
rss
反转 转移 电容
85
pF
切换
特性
(便条 2
)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 10
v, i
D
=
1 一个,
V
GEN
= 1
0 v, r
GEN
= 6
Ω
10
20
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
13
20
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
21
50
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
5
50
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
=
10
v,
I
D
=
3.7
一个, v
GS
=
10 v
9.5
27
nC
Q
gs
门-源 承担
1.5
nC
Q
gd
门-流 承担
3.3
nC
NDS9956A
.sam
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