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资料编号:513841
 
资料名称:NDS8934
 
文件大小: 77.78K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -16 v,V
GS
= 0 v
-1 µ一个
V
DS
= -10 v,V
GS
= 0 v,T
J
= 70°c -5 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -8 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
-0.5 -0.7 -1 V
T
J
= 125°c
-0.3 -0.5 -0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= -4.5v,I
D
= -3.8一个 0.06 0.07
T
J
= 125°c
0.085 0.14
V
GS
= -2.7 v,I
D
= -3.2一个 0.082 0.1
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= -4.5v, v
DS
= -5V
-15 一个
V
GS
= -2.7v, v
DS
= -5V -5
g
FS
向前 跨导
V
DS
=10v, i
D
=-3.8一个
9 S
动态特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= -10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1120 pF
C
oss
输出 电容 470 pF
C
rss
反转 转移 电容 145 pF
切换特性
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= -5v, i
D
=-1 一个,
V
GEN
= -4.5v, r
GEN
= 6
13 20 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 53 70 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 60 80 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 33 40 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
=-10v,
I
D
= -3.8一个, v
GS
=-4.5 v
19 30 nC
Q
gs
门-源 承担 2.4 nC
Q
gd
门-流 承担 5.5 nC
nds8934.sam
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