关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:513858
资料名称:
NDS8433
文件大小: 332.05K
说明
:
介绍
:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa
-20
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -16
v,
V
GS
= 0 v
-1
µ
一个
T
J
= 55
o
C
-10
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8 v,
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -8 v,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
-0.4
-0.8
-1
V
T
J
= 125
o
C
-0.3
-0.53
-0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -4.5 v,
I
D
= -5.2
一个
0.045
0.055
Ω
T
J
= 125
o
C
0.06
0.11
V
GS
= -2.7 v,
I
D
= -4.6
一个
0.062
0.075
I
D
(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= -4.5 v, v
DS
= -5 v
-10
一个
V
GS
= -2.7 v, v
DS
= -5 v
-5
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -10 v, i
D
= -5.2
一个
13
S
动态 特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1500
pF
C
oss
输出 电容
710
pF
C
rss
反转 转移 电容
230
pF
切换 ch
ARACTERISTICS
(便条 2
)
t
d(在
)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= -5
v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -4.5 v, r
GEN
= 6
Ω
16
30
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
41
60
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
100
150
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
50
80
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= -5 v,
I
D
= -5.2
一个, v
GS
= -4.5 v
25
40
nC
Q
gs
门-源 承担
3.6
nC
Q
gd
门-流 承担
7.6
nC
nds8433 rev. b1
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com