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资料编号:513858
 
资料名称:NDS8433
 
文件大小: 332.05K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -16v,V
GS
= 0 v
-1 µ一个
T
J
= 55
o
C -10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8 v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -8 v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
-0.4 -0.8 -1 V
T
J
= 125
o
C -0.3 -0.53 -0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -5.2一个
0.045 0.055
T
J
= 125
o
C
0.06 0.11
V
GS
= -2.7 v,I
D
= -4.6一个
0.062 0.075
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= -4.5 v, v
DS
= -5 v
-10 一个
V
GS
= -2.7 v, v
DS
= -5 v
-5
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -10 v, i
D
= -5.2一个
13 S
动态 特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1500 pF
C
oss
输出 电容 710 pF
C
rss
反转 转移 电容 230 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -5v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -4.5 v, r
GEN
= 6
16 30 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 41 60 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 100 150 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 50 80 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -5 v,
I
D
= -5.2一个, v
GS
= -4.5 v
25 40 nC
Q
gs
门-源 承担 3.6 nC
Q
gd
门-流 承担 7.6 nC
nds8433 rev. b1
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