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资料编号:513858
 
资料名称:NDS8433
 
文件大小: 332.05K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 -2.1 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压
V
GS
= 0 v, i
S
= -2.1一个
(便条 2)
-0.8 -1.2 V
注释:
1. R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的 这 流 管脚.R
θ
JC
是 有保证的
设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
P
D
(
t
)
=
T
J
T
一个
R
θ
J 一个
(
t
)
=
T
J
T
一个
R
θ
J C
+
R
θ
C一个
(
t
)
=
I
D
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
T
J
典型R
θ
JA
使用 这 板 layouts 显示 在下 在 4.5"x5" fr-4 pcb 在 一个安静的 空气 环境:
一个. 50
o
c/w 当 挂载 在 一个 1
2
垫子 的 2oz 铜.
b. 105
o
c/w 当 挂载 在 一个 0.04
2
垫子 的 2oz 铜.
c. 125
o
c/w 当 挂载 在 一个 0.006
2
垫子 的 2oz 铜.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper.
2.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300µs, 职责 循环<2.0%.
nds8433 rev. b1
1a
1b
1c
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