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资料编号:513867
 
资料名称:NDS9430A
 
文件大小: 66.16K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nds9430a rev.一个
-5-4-3-2-10
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
-6.0
-4.0
v =-10v
GS
DS
D
-3.0
-4.5
-3.5
-5.0
-20-16-12-8-40
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -3.5v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-6.0v
-10v
-6.0v
-5.0v
-4.0v
-4.5v
图示 1. 在-区域 特性 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压
典型 电的 特性
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = -10v
GS
i = -5.3a
D
r , normalized
ds(在)
-20-15-10-50
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
25°C
-55°c
v = -10v
GS
t = 125°c
J
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
-5-4-3-2-1
-20
-16
-12
-8
-4
0
-v , 门 至 源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)
25
125
v = -10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
i = -250µa
D
v = v
DS
GS
J
v , normalized
th
图示 5. 转移 特性
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度
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