六月1996
NDT452AP
P-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDT452AP 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) -5 一个
- 搏动 - 15
P
D
最大 电源 消耗(便条 1a) 3 W
(便条 1b)
1.3
(便条 1c)
1.1
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 42 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 12 °c/w
* 顺序 选项 j23z 为 cropped 中心 流 含铅的.
ndt452ap rev. b1
-5一个, -30v. r
ds(在)
= 0.065
Ω
@ v
GS
= -10v
R
ds(在)
= 0.1
Ω
@ v
GS
= -4.5v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely 使用
表面 挂载 包装.
电源 sotp-频道 增强 模式 电源 地方
效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 是 特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗
和 提供 更好的 切换 效能.这些 设备
是 特别 suited 为 低 电压 产品 此类 作
notebook 计算机 电源 管理 和 直流 发动机
控制.
D
D S
G
D
S
G
© 1997 仙童 半导体 公司