10
NE32584C
推荐 焊接 情况
这 下列的 情况 (看 表格 在下) 必须 是 符合 当 焊接 这个 产品.
请 咨询 和 我们的 销售 offices 在 情况 其它 焊接 处理 是 使用, 或者 在 情况 焊接 是 完毕 下面
不同的 情况.
<类型 的 表面 挂载 设备>
为 更多 详细信息, 谈及 至 我们的 文档 “semiconductor 设备 挂载 技术 manual”
(c10535e).
[NE32584C]
焊接 处理 焊接 情况 标识
infrared ray 软熔焊接 顶峰 包装’s 表面 温度: 230 °c 或者 在下,
软熔焊接 时间: 30 秒 或者 在下 (210 °c 或者 高等级的),
号码 的 软熔焊接 处理: 1, 暴露 limit*: 毫无
ir30-00
partial 加热 方法 终端 温度: 230 °c 或者 在下,
流动 时间: 10 秒 或者 在下,
暴露 limit*: 毫无
*
暴露 限制 在之前 焊接 之后 dry-包装 包装 是 opened.
存储 情况: 25 °c 和 相关的 湿度 在 65 % 或者 较少.
便条
做 不 应用 更多 比 一个 单独的 处理 在 once, 除了 为 “partial 加热 method”.
PRECAUTION
避免 高 静态的 电压 和 electric 地方, 因为 这个 设备 是 hetero 接合面 地方 效应
晶体管 和 shottky 屏障 门.
提醒
这 好 小心 必须 是 带去 在 dealing 和 这 设备 在 这个 手册.
这 reason 是 那 这 材料 的 这 设备 是 gaas (镓 砷化物), 这个 是
designated 作 harmful substance 符合 至 这 law 影响.
保持 这 law 影响 和 所以 在, 特别 在 情况 的 除去.
: 点此下载
