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1996
数据 薄板
hetero 接合面 地方 效应 晶体管
NE425S01
c 至 ku 带宽 超级的 低 噪音 放大器
n-频道 hj-场效应晶体管
描述
这 ne425s01 是 一个 hetero 接合面 场效应晶体管 那 运用 这
hetero 接合面 至 create 高 mobility electrons. 它的 极好的
低 噪音 和 高 有关联的 增益 制造 它 合适的 为 dbs
和 另一 商业的 系统.
特性
• 超级的 低 噪音 图示 &放大; 高 有关联的 增益
nf = 0.60 db 典型值., g
一个
= 12.0 db 典型值 在 f = 12 ghz
• 门 长度: l
g
≤
0.20
µ
m
• 门 宽度 : w
g
= 200
µ
m
订货 信息
部分 号码 供应 表格 标记
ne425s01-t1 录音带 &放大; 卷轴 1000 pcs./卷轴 G
ne425s01-t1b 录音带 &放大; 卷轴 4000 pcs./卷轴
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DS
4.0 V
门 至 源 电压 V
GS
–3.0 V
流 电流 I
D
I
DSS
毫安
门 电流 I
G
100
µ
一个
总的 电源 消耗 P
tot
165 mW
频道 温度 T
ch
125 ˚ C
存储 温度 T
stg
–65 至 +125 ˚ C
推荐 运行 情况 (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 电压 V
DS
23V
流 电流 I
D
10 20 毫安
输入 电源 P
在
0 dBm
文档 非. p11161ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 october 1996 n
打印 在 日本
包装 维度
(单位: mm)
0.5 典型值
2.0 ±0.2
4
0.65 典型值
3
2
1
2.0 ±0.2
2.0 ±0.2
G
1.9 ±0.2
1.6
4.0 ±0.2
0.125 ±0.05
1.5 最大值
0.4max
1. source
2. drain
3. source
4. 门