数据 薄板 p14232ej2v0ds00
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NE4210S01
便条 在 准确无误的 使用
(1) 因为 这个 设备 是 一个 gaas mes 场效应晶体管 和 一个 肖特基 屏障 门 结构, 它 是 需要 那 sufficient
小心 是 带去 关于 静态的 electricity 和 强 electric 地方.
引领 measures 相反 静态的 electricity 和 制造 确信 这 身体 是 earthed 当 挂载 这 设备.
(2) follow 这 程序 在下 当 运行 这 设备 用 一个 门-和-流-独立 双 电源 供应.
直接地 地面 两个都 这 源 管脚.
V
GS
= fixed 至 大概 –4 v.
增加 v
DS
至 一个 predetermined 电压 水平的 (在里面 这 推荐 运行 范围 的 v
DS
).
调整 v
GS
在 线条 和 一个 predetermined i
D
.
(3) 它 是 推荐 那 这 偏差 应用 电路 是 能 至 有 一个 fixed 电压 和 电流.
(4) 调整 这 i/o 相一致 电路 之后 turning 这 偏差 止.
推荐 焊接 情况
这个 产品 应当 是 焊接 下面 这 下列的 推荐 情况. 为 焊接 方法 和
情况 其它 比 那些 推荐 在下, 联系 your nec 销售 代表.
焊接 方法 焊接 情况 推荐 情况 标识
infrared 软熔焊接 包装 顶峰 温度: 230 °c 或者 在下
时间: 30 秒 或者 较少 (在 210 °c)
计数: 1, 暴露 限制 : 毫无
便条
ir30-00-1
partial 加热 管脚 温度: 230 °c
时间: 10 秒 或者 较少 (每 管脚 行)
暴露 限制 : 毫无
便条
–
便条
之后 opening 这 dry 包装, 保持 它 在 一个 放置 在下 25 °c 和 65 % rh 为 这 容许的 存储 时期.
提醒 做 不 使用 不同的 焊接 方法 一起 (除了 为 partial 加热).
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