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1996
初步的 数据 sheet
gaas mes 场效应晶体管
ne85001 序列
1 w c-带宽 电源 gaas 场效应晶体管
n-频道 gaas mes 场效应晶体管
文档 非. p10968ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
描述
这 ne8500199 电源 gaas 场效应晶体管 覆盖 2 ghz 至 10 ghz 频率 范围 为 商业的 放大器, 振荡器
产品 和 所以 在.
ne8500100 是 这 二-cells recessed 门 碎片 使用 在 ‘99’ 包装.
这 设备 包含 德州仪器-al 门 和 硅 dioxide glassivation. 至 减少 这 热的 阻抗, 这 设备
有 一个 phs. (镀有 热温 下沉)
nec’s strigent 质量 assurance 和 测试 程序 使确信 这 最高的 可靠性 和 效能.
特性
• 类 一个 运作
• 高 电源 输出
• 高 可靠性
选择 chart
效能 指定
部分 号码 表格
pout (
**
)g
L
(
**
) USABLE
(dbm) (db) 频率
(ghz)
ne8500100(*) 碎片 28.5 最小值 9.0 典型值 2.0 至 10
ne8500100-wb
ne8500100-rg
NE8500199 包装 28.5 最小值 9.0 典型值 2.0 至 10
*
wb, rg 表明 一个 类型 的 containers 为 碎片.
wb: 黑色 运输车, rg: 环绕,: gel-pack,
**
指定 在 这 情况 在 这 last 页.
物理的 维度
ne8500100 (碎片) (单位:
µ
m)
包装 代号-99 (单位: mm)
4.0 最小值 两个都 leads
SOURCE
GATE
DRAIN
0.6 ±0.1
5.2 ±0.3
6.0 ±0.2
11.0 ±0.3
15.0 ±0.3
0.1
1.2
0.2 最大值.
1.0 ±0.1
2.2 ±0.3
2 places
φ
4.3 ±0.2
1.7 ±0.15
4.0
5.0 最大值.
780
640
170
100
146
100
65
100
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