NE651R479A_集成电路资料查询网

数据 薄板  p13670ej2v0ds00
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NE651R479A
典型  rf  效能  为  涉及 (不  指定)
(t
一个
= +25
°
c, 除非 否则 指定, 使用 nec 标准 测试 fixture.)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输出 电源 P
输出
f = 900 mhz, v
DS
= 3.5 v,
−
27.0
−
dBm
流 电流 I
D
P
在
= +13 dbm, r
g
= 1 k
Ω
,
−
230
−
毫安
电源 增加 效率
η
增加
I
Dset
= 50 毫安 (rf 止)
−
60
−
%
直线的 增益
便条
G
L
−
14.0
−
dB
便条
P
在
= 0 dbm
典型  rf  效能  为  涉及 (不  指定)
(t
一个
= +25
°
c, 除非 否则 指定, 使用 nec 标准 测试 fixture.)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输出 电源 P
输出
f = 1.9 ghz, v
DS
= 5.0 v,
−
29.5
−
dBm
流 电流 I
D
P
在
= +15 dbm, r
g
= 1 k
Ω
,
−
350
−
毫安
电源 增加 效率
η
增加
I
Dset
= 50 毫安 (rf 止)
−
58
−
%
直线的 增益
便条
G
L
−
12.0
−
dB
便条
P
在
= 0 dbm
典型  特性 (t
一个
= +25
°
°°
°
c)
I
D
P
输出
V
DS
= 3.5 v
I
Dset
= 50 毫安 (rf 止)
R
g
= 1 k
Ω
, f = 1.9 ghz
输出 电源, 流 电流
vs. 输入 电源
输出 电源  p
输出
(dbm)
流 电流  i
D
(毫安)
输入 电源  p
在
(dbm)
30
25
20
15
10
5
500
400
300
200
100
0
2520151050–5
Remark
这 图表 indicates 名义上的 特性.

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数据薄板 p13670ej2v0ds00 3 NE651R479A 典型 rf 效能为涉及 (不指定) (t 一个 = +25 ° c, 除非否则指定, 使用 nec 标准测试 fixture.) 参数标识测试情况最小值典型值最大值单位输出电源 P 输出 f = 900 mhz, v DS = 3.5 v, − 27.0 − dBm 流电流 I D P 在 = +13 dbm, r g = 1 k Ω , − 230 − 毫安电源增加效率 η 增加 I Dset = 50 毫安 (rf 止) − 60 − % 直线的增益便条 G L − 14.0 − dB 便条 P 在 = 0 dbm 典型 rf 效能为涉及 (不指定) (t 一个 = +25 ° c, 除非否则指定, 使用 nec 标准测试 fixture.) 参数标识测试情况最小值典型值最大值单位输出电源 P 输出 f = 1.9 ghz, v DS = 5.0 v, − 29.5 − dBm 流电流 I D P 在 = +15 dbm, r g = 1 k Ω , − 350 − 毫安电源增加效率 η 增加 I Dset = 50 毫安 (rf 止) − 58 − % 直线的增益便条 G L − 12.0 − dB 便条 P 在 = 0 dbm 典型特性 (t 一个 = +25 ° °° ° c) I D P 输出 V DS = 3.5 v I Dset = 50 毫安 (rf 止) R g = 1 k Ω , f = 1.9 ghz 输出电源, 流电流 vs. 输入电源输出电源 p 输出 (dbm) 流电流 i D (毫安) 输入电源 p 在 (dbm) 30 25 20 15 10 5 500 400 300 200 100 0 2520151050–5 Remark 这图表 indicates 名义上的特性.

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