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资料编号:514327
 
资料名称:NE651R479A
 
文件大小: 69.19K
   
说明
 
介绍:
0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
 
 


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数据 薄板 p13670ej2v0ds00
7
NE651R479A
这个 产品 应当 是 焊接 和 挂载 下面 这 下列的 推荐 情况. 为 焊接
方法 和 情况 其它 比 那些 推荐 在下, 联系 your nec 销售 代表.
焊接 方法 焊接 情况 推荐 情况 标识
infrared 软熔焊接 包装 顶峰 温度: 235
°
c 或者 在下,
时间: 30 秒 或者 较少 (在 210
°
c 或者 高等级的),
计数: 2 时间 或者 较少,
暴露: 限制: 毫无
便条
ir35-00-2
partial 加热 管脚 温度: 260
°
c 或者 在下,
时间: 5 秒 或者 较少 (每 管脚 行)
暴露: 限制: 毫无
便条
便条
之后 opening 这 dry 包装, store 它 在 25
°
c 或者 较少 和 65 % rh 或者 较少 为 这 容许的 存储 时期.
提醒 做 不 使用 不同的 焊接 方法 一起 (除了 为 partial 加热).
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