初步的 数据 薄板 11
nes1823p-100
电路 设计
这 相一致 电路 的 包装 inside 组成 的 bond-线, 碎片-电容 和 microstrip 线条 在 这 alumina
基质. 这 包装-含铅的 阻抗 是 设计 作 25
Ω
连接 至 这 外部 相一致 电路, 在 这
外部 电路 设计, 这 microstrip 线条 阻抗 是 25
Ω
, conjugate 和 包装 阻抗, 然后 这
阻抗 是 连接 至 balun, 它 是 1:2 balun 结构, 最终 连接 至 50
Ω
. balun 技术 有 一些
有利因素 在 单独的-结束 设备, 降低 相一致-丧失 和 decrease 的 阻抗 改变 比率 和 cancel
这 甚至 模式 调和的 频率 为 im
3
效能. 这 balun 电路 是 运用 为 这个 产品.
balun 设计
这 balun 设计 是 这 关键 为 这些 高 电源 推-拉 结构 设备. nec 设计 低 嵌入 丧失
microstrip balun 为 这个 产品. what 是 这 reason 的 我们的 选择? 一个 是 这 repeatability 的 组装, 和 这
其它 是 它的 效能. microstrip balun 效能 容忍 是 小 因为 的 它的 简单的 结构. 所以 这
balun 效能 是 稳固的 和 repeatable 在 nec 和 客户. 和 它的 嵌入 丧失 是 0.2 db 较少 比
coaxial balun 0.3 db, 也 它的 带宽 宽度 是 更好的 比 coaxial balun. 这 microstrip balun 是 组成 的 microstrip
模式 和 cavity, 因此 它的 嵌入 丧失 和 带宽 宽度 预定的 至 它的 参数 设计. 那些 参数 是
优化 和 simuration. : (基质 duroid
ε
r = 2.2 t = 0.8 mm)
然后 这 阶段 区别 在 二 端口 是 180°
±
4, 嵌入 丧失 是 0.2 db 从 1 至 3 ghz.
直流 稳固 (避免 振动)
这 函数 的 直流-截 电容 arranged 在 变压器 和 microstrip balun 是 避免 直流 振动.
当 这 门 是 pinch-止, 一个 few pinch-止 电压 (vp) 区别 的 各自 端口 出现 这 循环 电流, 然后 开始 直流
振动 在 这 范围 的 pinch-止. 因为 的 这个 reasons, 这 直流-截 电容 是 需要 至 这个 microstrip balun
组装. additionally, 这 地面 的 变压器 substate 是 有效的 至 直流 振动, 所以 那 five screws 是
arranged 在 这 middle 的 基质.
: 点此下载
