NIMD6302R2
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主要的 场效应晶体管 电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出) (持续)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
source–drain 二极管 特性
向前 on–voltage (注释 6 &放大; 7)
(i
S
= 3.0 模数转换器, v
GS
= 0 vdc)
(i
S
=30Adc V
GS
= 0 Vdc T
J
= 125
°
c)
V
SD
–
–
0.79
065
0.86
072
Vdc
(i
S
= 3.0 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
(i
S
= 3.0 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 175
°
c)
–
–
0.65
0.58
0.72
0.64
反转 恢复 时间
(便条 7)
t
rr
– 30.8 41
ns
(i 3 0 模数转换器 V 0 Vdc
t
一个
– 14.6 18
(i
S
= 3.0 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
s)
t
b
– 15.2 20.2
反转 恢复 贮存 承担
(便条 7)
dI
S
/dt100一个/
s)
Q
RR
– 0.020 0.03
C
mirror 场效应晶体管 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
主要的/mirror 场效应晶体管 电流 比率
运行 在 这 饱和 区域
(v
DS
= 6.0 vdc, i
Dmain
= 5.0 毫安)
(v
DS
= 6.0 vdc, i
Dmain
= 5.0 毫安,
T
一个
= 125
°
c)
I
RAT
170
167
200
196
230
225
–
主要的/mirror 电流 比率 变化
相比 温度 运行 在
这 饱和 区域
(v
DS
= 6.0 vdc, i
Dmain
= 5.0 毫安,
T
一个
= 25 至 125
°
c)
I
RAT
170 200 230 –
主要的/mirror 场效应晶体管 电流 比率
运行 在 这 直线的 区域
(v
GS
= 3.0 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个)
(v
GS
= 3.0 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个,
T
一个
= 175
°
c)
I
RAT
166
165
172
171
178
177
–
主要的/mirror 电流 比率 变化
相比 温度 运行 在
这 直线的 区域
(v
GS
= 3.0 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个,
T
一个
= –40 至 +175
°
c)
I
RAT
166 172 184 –
主要的/mirror 场效应晶体管 电流 比率
运行 在 这 直线的 区域
(v
GS
= 5.0 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个)
(v
GS
= 5.0 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个,
T
一个
= 175
°
c)
I
RAT
150
155
155
161
160
166
–
主要的/mirror 电流 比率 变化
相比 温度 运行 在
这 直线的 区域
(v
GS
= 5.0 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个,
T
一个
= –40 至 +175
°
c)
I
RAT
150 155 166 –
主要的/mirror 场效应晶体管 电流 比率
运行 在 这 直线的 区域
(v
GS
= 10 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个)
(v
GS
= 10 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个,
T
一个
= 175
°
c)
I
RAT
141
148
146
153
155
157
–
主要的/mirror 电流 比率 变化
相比 温度 运行 在
这 直线的 区域
(v
GS
= 10 vdc, i
Dmain
= 1.0 一个,
T
一个
= –40 至 +175
°
c)
I
RAT
141 146 157 –
主要的 和 sense 场效应晶体管 电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
electro–static 释放 (静电释放)
能力
主要的 场效应晶体管
sense 场效应晶体管
–
–
1800
1800
–
–
–
–
V
承担 设备 模型 (cdm)
能力
主要的/sense 场效应晶体管
–
2000 – – V
6. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
s, 职责 循环 = 2%.
7. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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