表格 3 直流 特性 (v
CCD
= 12.0 v, t
一个
= 25 °c, 除非 否则 指出)
OL2068
工业的 30 volt 4-频道 差别的 电源 线条 驱动器 - 短的 电路 proof -
6
也 这 低 或者 高 一侧 转变 是 起作用的 在 一个 时间.
7
值 将 不 是 部分 的 这 生产 测试 但是 有保证的 用 设计.
8
输出 mon 外部 驱动 电流 向上 至 4ma 可能 - 但是 使用 这个 限制 这 热的 电源 budget!
9
量过的 没有 外部 加载 在 v
CCI
管脚, 所有 输出 打开.
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为 解耦 v
CCI
请 连接 这个 输出 和 一个 100nf 电容 至 地
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取决于 在 供应 电压 v
CCD
, v
CCI
可以 是 不 高等级的 比 v
CC
- 0.3 v.
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这个 是 量过的 每 输入 和 所有 其它 输入 使保持 在 vcci 或者 地.
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限制 用 电源 消耗, 高 i
CCI
电流 和 growing v
CCD
电压 发生 热温, 因此 这 驱动 限制 能 是 reached 早期.
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值 将 不 是 部分 的 这 生产 测试 但是 有保证的 用 设计.
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Paramter 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
施密特 触发 输入 部分
数据 输入 hysteresis V
HYS
D V
IL
至 v
IH
和 v
IH
至 v
IL
, 使能 <= 0.8 v 0.2 0.5 V
数据 输入 积极的 going 门槛 V
TH+
D 使能 <= 0.8 v 1.7 2.4 V
数据 输入 负的 going 门槛 V
th-
D 使能 <= 0.8 v 0.8 1.2 V
使能 输入 hysteresis V
HYS
EN V
IL
至 v
IH
和 v
IH
至 v
IL
, 0.2 0.5 V
使能 输入 pos. going 门槛 V
TH+
EN 1.7 2.4 V
使能 输入 neg. going 门槛 V
th-
EN 0.8 1.2 V
数据 输入 泄漏 电流 -低 I
IL
D 使能 <= 0.8 v -10.0 +10.0 µA
-高 I
IH
D 使能 <= 0.8 v -10.0 +10.0 µA
使能 输入 泄漏 电流 -低 I
IL
EN -10.0 +10.0 µA
-高 I
IH
EN -10.0 +10.0 µA
推-拉 输出 驱动 部分
- 低 一侧 转变 输出
6
低 水平的 输出 电压 V
OLB
V
CCD
= 4.75 v, i
加载
= 20 毫安, 使能 <= 0.08 v 0.3 0.5 V
V
OLT
V
CCD
= 30 v, i
加载
= 30ma, 使能 <= 0.08 v 0.4 0.5 V
输出 阻抗 R
DSON
I
加载
= 30ma 13 20
ΩΩ
高-阻抗 输出 泄漏 电流 I
OZ
V
CCD
= 30.0 v, 使能 >= 2.4 v -10.0 +10.0 µA
- 高 一侧 转变 ouptuts
6
高 水平的 输出 电压 V
OHB
V
CCD
= 4.75 v, i
加载
= -20ma, 使能 <=0.80 v 4.2 V
CCD
-0.4 V
V
OHT
V
CCD
= 30v, i
加载
= 30ma, 使能 <=0.8 v 29.2 V
CCD
-0.6 V
输出 阻抗 R
DSON
I
加载
= 30ma 20 30
ΩΩ
高-阻抗 输出 泄漏 电流 I
OZ
V
CCD
= 30.0 v, 使能 >= 2.4 v -10.0 +10.0 µA
-mon 输出
8
低 水平的 输出 电压 V
OL
I
加载
= 2.0 毫安 0.4 V
高 水平的 输出 电压 V
OH
I
加载
= 2.0ma V
CCI
-0.8 V
供应 参数 部分
V
CCD
供应 电流
9
I
DB
(en) V
CCD
= 5.0 v, 使能 <= 0.8 v 1.5 5.0 毫安
I
DT
(en) V
CCD
= 30.0 v, 使能 <= 0.8 v 1.5 5.0 毫安
I
DB
(dis) V
CCD
= 5.0 v, 使能 >= 2.4 v 1.5 3.0 毫安
I
DT
(dis) V
CCD
= 30.0 v, 使能 >= 2.4 v 1.5 3.0 毫安
内部的 供应 电压
10
V
CCI
11
I
CCIE
= 5.0 毫安 4.5 5.0 5.5 V
安静的 电流 I
CCQ
12
V
在
= 2.4 v 或者 0.8 v 0.2 毫安
电流 从 内部的 电压
调整器 至 供应 外部 设备
I
CCIE
13
5.0 毫安
低 电压 重置 部分
hysteresis 为 下面-电压 重置 V
HYS
LVR 0.1 V
下面-votlage 重置 负的 going 门槛
(起作用的)
V
TH
-lvr 3.3 3.5 3.7 V
下面-电压 重置 积极的 going 门槛
(inactive)
V
TH+
LVR 3.4 3.6 3.8 V
下面-电压 重置 过滤 时间 t
FIL
LVR
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5 µs
在-温度 保护 部分
在-温度 运作 要点 (接合面) T
JOP
+165 +185 °C
在-温度 释放 要点 (接合面) T
JRP
+125 +135 °C
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