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资料编号:527775
 
资料名称:P2504BDG
 
文件大小: 132.25K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ( Preliminary )
 
 


: 点此下载
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2
JAN-17-2005
N-频道 逻辑 水平的 增强
模式 地方 effect 晶体管 ( 初步的 )
P2504BDG
-
含铅的-自由
NIKO-SEM
向前 跨导
1
g
fs
V
DS
= 10v, i
D
= 12一个 18 S
动态
输入 电容 C
iss
760
输出 电容 C
oss
165
反转 转移 电容 C
rss
V
GS
= 0v, v
DS
= 10v, f = 1mhz
55
pF
总的 门 charge
2
Q
g
16
-源 承担
2
Q
gs
2.5
-流 承担
2
Q
gd
V
DS
= 0.5v
(br)dss
, v
GS
= 10v,
I
D
= 12一个
2.1
nC
转变-在 延迟 时间
2
t
d(在)
2.1 4.2
上升 时间
2
t
r
V
DS
= 20v, r
L
= 1 7.2 14
转变-止 延迟 时间
2
t
d(止)
I
D
1a, v
GS
= 10v,R
GEN
= 6 11.6 21.0
下降 时间
2
t
f
3.5 7.2
nS
-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25 °c)
持续的 电流 I
S
12
搏动 电流
3
I
SM
40
一个
向前 电压
1
V
SD
I
S
= i
S
, v
GS
= 0v 1.2 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=5一个, dl
F
/dt = 100a /
µ
S 14.5 nS
反转 恢复 承担 Q
rr
7.2 nC
1
脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度
300
µ
秒, 职责 循环
2 .
2
独立 的 运行 温度.
3
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
remark: 这 产品 marked 和 “p2504BDG”, 日期 代号 或者 lot #
顺序 为 部分 和 含铅的-自由 镀层 能 是 放置 使用 这 pxxxxxxg 部分 名字.
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