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资料编号:536318
 
资料名称:P75N02LS
 
文件大小: 45.62K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号P75N02LS的Datasheet PDF文件第1页
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浏览型号P75N02LS的Datasheet PDF文件第3页
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2
8月-02-2001
n-频道 逻辑 水平的 增强
模式 地方 效应 晶体管
P75N02LS
至-263(d
2
PAK)
niko-sem
在-状态 流 电流
1
I
d(在)
V
DS
= 10v, v
GS
= 10v 70 一个
V
GS
= 10v, i
D
= 30a 5 7
流-源 在-状态
阻抗
1
R
ds(在)
V
GS
= 7v, i
D
= 24a 6 8
m
Ω
向前 跨导
1
g
fs
V
DS
= 15v, i
D
= 30a 16 S
动态
输入 电容 C
iss
5000
输出 电容 C
oss
1800
反转 转移 电容 C
rss
V
GS
= 0v, v
DS
= 15v, f = 1mhz
800
pF
总的 门 承担
2
Q
g
140
门-源 承担
2
Q
gs
40
门-流 承担
2
Q
gd
V
DS
= 0.5v
(br)dss
, v
GS
= 10v,
I
D
= 35a
75
nC
转变-在 延迟 时间
2
t
d(在)
7
上升 时间
2
t
r
V
DS
= 15v, r
L
= 1
Ω
7
转变-止 延迟 时间
2
t
d(止)
I
D
30a, v
GS
= 10v, r
GS
= 2.5
Ω
24
下降 时间
2
t
f
6
nS
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25 °c)
持续的 电流 I
S
75
搏动 电流
3
I
SM
170
一个
向前 电压
1
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0v 1.3 V
反转 恢复 时间 t
rr
37 ns
顶峰 反转 恢复 电流 I
rm(rec)
I
F
= i
S
, dl
F
/dt = 100a /
µ
S
200 一个
反转 恢复 承担 Q
rr
0.043
µ
C
1
脉冲波 测试 : 脉冲波 width
300
µ
秒, 职责 循环
2
.
2
独立 的 运行 温度.
3
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
remark: 这 产品 marked 和 “p75n02ls”, 日期 代号 或者 lot #
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