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4-mbit smartvoltage 激励 块 家族
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初步的
2.0 产品 描述
2.1 记忆 blocking organization
这个 产品 家族 特性 一个 asymmetrically-
blocked architecture 供应 系统 记忆
integration. 各自 擦掉 块 能 是 erased
independently 的 这 其他 向上 至 100,000 时间 为
商业的 温度 或者 向上 至 10,000 时间 为
扩展 温度. 这 块 sizes 有 被
选择 至 优化 它们的 符合实际 为 一般
产品 的 nonvolatile 存储. 这 结合体
的 块 sizes 在 这 激励 块 architecture 准许
这 integration 的 一些 memories 在 一个 单独的
碎片. 为 这 地址 locations 的 这 blocks, 看
这 记忆 maps 在 计算数量
4 和 5.
2.1.1 一个 16-kb 激励 块
这 激励 块 是 将 至 替代 一个 专心致志的
激励 prom 在 一个 微处理器 或者 微控制器-
为基础 系统. 这 16-kbyte (16,384 字节) 激励
块 是 located 在 也 这 顶 (denoted 用 -t
后缀) 或者 这 bottom (-b 后缀) 的 这 地址 编排
至 accommodate 不同的 微处理器 protocols
为 激励 代号 location. 这个 激励 块 特性
硬件 controllable 写-保护 至 保护 这
crucial 微处理器 激励 代号 从 意外的
修改. 这 保护 的 这 激励 块 是
控制 使用 一个 结合体 的 这 v
PP
, rp#, 和
wp# 管脚, 作 是 详细地 在 部分
3.4.
2.1.2 二 8-kb 参数 blocks
这 激励 块 architecture 包含 参数
blocks 至 facilitate 贮存age 的 frequently updated
小 参数 那 将 正常情况下 需要 一个
可擦可编程只读存储器. 用 使用 软件 技巧, 这 字节-
rewrite 符合实际 的 eeproms 能 是 emulated.
这些 技巧 是 详细地 在 intel’s 应用
便条,
ap-604 使用 intel’s 激励 块 flash
记忆 参数 blocks 至 替代 可擦可编程只读存储器
.
各自 激励 块 组件 包含 二 参数
blocks 的 8 kbytes (8,192 字节) 各自. 这
参数 blocks 是 不 写-protectable.
2.1.3 一个 96-kb + 三 128-kb
主要的 blocks
之后 这 allocation 的 地址 空间 至 这 激励
和 参数 blocks, 这 remainder 是 分隔 在
主要的 blocks 为 数据 或者 code 存储. 各自 4-mbit
设备 包含 一个 96-kbyte (98,304 字节) 块
和 三 128-kbyte (131,072 字节) blocks. 看 这
记忆 maps 为 各自 设备 为 更多 信息.
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