2004 将 13 2
飞利浦 半导体 产品 规格
100 v, 1 一个
pnp 低 v
cesat (biss)
晶体管
PBSS9110T
特性
•
sot23 包装
•
低 集电级-发射级 饱和 电压 v
CEsat
•
高 集电级 电流 能力: i
C
和 i
CM
•
高等级的 效率 leading 至 较少 热温 一代
产品
•
主要的 应用 部分
– automotive 42 v 电源
– 电信 infrastructure
– 工业的
•
直流-至-直流 转换
•
附带的 驱动器
– 驱动器 在 低 供应 电压 产品 (e.g. lamps
和 leds).
– inductive 加载 驱动器 (e.g. 接转,
buzzers 和 发动机).
描述
pnp 低 v
CEsat
晶体管 在 一个 sot23 塑料 包装.
npn complement: pbss8110t.
标记
便条
1.
∗
= p: 制造 在 香 港.
∗
= t: 制造 在 马来西亚.
∗
= w: 制造 在 中国.
快 涉及 数据
固定
类型 号码 标记 代号
(1)
PBSS9110T *U7
标识 参数 最大值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压
−
100 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
1A
I
CM
repetitive 顶峰 集电级
电流
−
3A
R
CEsat
相等的 在-阻抗 320 m
Ω
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
handbook, halfpage
21
3
MAM256
顶 视图
2
3
1
图.1 simplified 外形 (sot23) 和 标识.
订货 信息
类型 号码
包装
名字 描述 版本
PBSS9110T
−
塑料 表面 挂载 包装; 3 leads SOT23