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资料编号:541372
资料名称:
PBSS9110T
文件大小: 107.4K
说明
:
介绍
:
100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
: 点此下载
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12
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004 将 13
8
飞利浦 半导体
产品 规格
100 v, 1 一个
pnp 低 v
cesat (biss)
晶体管
PBSS9110T
001aaa381
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
−
1
−
10
V
BEsat
(v)
−
10
−
1
(1)
(2)
(3)
图.9
根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
=
10.
(1)
T
amb
=
−
55
°
c.
(2)
T
amb
=25
°
c.
(3)
T
amb
=
100
°
c.
001aaa379
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
−
1
−
10
V
BEsat
(v)
−
10
−
1
图.10
根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
=
20.
T
amb
=25
°
c.
001aaa382
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
1
10
10
2
10
3
RCEsat
(
Ω
)
10
−
1
(1)
(2)
(3)
图.11
相等的 在-阻抗 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
=
10.
(1)
T
amb
=
−
55
°
c.
(2)
T
amb
=25
°
c.
(3)
T
amb
=
100
°
c.
001aaa383
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
1
10
10
2
10
3
RCEsat
(
Ω
)
10
−
1
(1)
(2)
图.12
相等的 在-阻抗 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
T
amb
=25
°
c.
(1)
I
C
/i
B
=
50.
(2)
I
C
/i
B
=
20.
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