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2004 将 13 9
飞利浦 半导体 产品 规格
100 v, 1 一个
pnp 低 v
cesat (biss)
晶体管
PBSS9110T
V
CE
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(一个)
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(2)
(8)
(10)
(9)
(3)
(6)
(7)
(4)
(5)
图.13 集电级 电流 作 一个 函数 的
集电级-发射级 电压; 典型 值.
(1) I
B
= 45 毫安.
(2) I
B
= 40.5 毫安.
(3) I
B
= 36 毫安.
(4) I
B
= 31.5 毫安.
(5) I
B
= 27 毫安.
(6) I
B
= 22.5 毫安.
(7) I
B
= 18 毫安.
(8) I
B
= 13.5 毫安.
(9) I
B
= 9 毫安.
(10) I
B
= 4.5 毫安.
T
amb
=25
°
c.

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2004 将 13 9 飞利浦半导体产品规格 100 v, 1 一个 pnp 低 v cesat (biss) 晶体管 PBSS9110T V CE (v) 0 − 5 − 4 − 2 − 3 − 1 001aaa384 − 0.8 − 1.2 − 0.4 − 1.6 − 2 I C (一个) 0 (1) (2) (8) (10) (9) (3) (6) (7) (4) (5) 图.13 集电级电流作一个函数的集电级-发射级电压; 典型值. (1) I B = 45 毫安. (2) I B = 40.5 毫安. (3) I B = 36 毫安. (4) I B = 31.5 毫安. (5) I B = 27 毫安. (6) I B = 22.5 毫安. (7) I B = 18 毫安. (8) I B = 13.5 毫安. (9) I B = 9 毫安. (10) I B = 4.5 毫安. T amb =25 ° c.

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