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资料编号:54150
 
资料名称:IRG4BC30F
 
文件大小: 167.27K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
 
 


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www.irf.com 5
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
0
400
800
1200
1600
2000
1 10 100
CE
c, 电容 (pf)
v , 集电级-至-发射级 voltage (v)
一个
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0v f = 1 mhz
cies = cge + cgc + cce 短接
cres = cce
coes = cce + cgc
0
4
8
12
16
20
0 102030405060
GE
v , 门-至-发射级 电压 (v)
g
q , 总的 门 charge (nc)
一个
v = 400v
i = 17a
CE
C
1.30
1.35
1.40
1.45
1.50
0 102030405060
总的 切换 losses (mj)
一个
v = 480v
v = 15v
t = 25
°
C
i = 17a
r , 门 阻抗 (
)
G
CC
GE
J
C
0.1
1
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
总的 切换 losses (mj)
一个
t , 接合面 温度 (
°
c)
J
r = 23
v = 15v
v = 480v
i = 8.5a
i = 17a
i = 34a
G
GE
CC
C
C
C
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