飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 pbyr30100pt 序列
肖特基 屏障
图.1. 最大 向前 消耗 p
F
= f(i
f(av)
) 每
二极管; 正方形的 电流 波形 在哪里
I
f(av)
=I
f(rms)
x
√
d.
图.2. 最大 向前 消耗 p
F
= f(i
f(av)
) 每
二极管; sinusoidal 电流 波形 在哪里 一个 = 表格
因素 = i
f(rms)
/ i
f(av)
.
图.3. 典型 和 最大 向前 典型的
每 二极管; i
F
= f(v
F
); 参数 t
j
图.4. 典型 反转 泄漏 电流 每 二极管;
I
R
= f(v
R
); 参数 t
j
图.5. 典型 接合面 电容 每 二极管;
C
d
= f(v
R
); f = 1 mhz; t
j
= 25˚c 至 125 ˚c.
图.6. 瞬时 热的 阻抗 每 二极管;
Z
th j-mb
= f(t
p
).
0 20
PBYR30100PT
如果(av) / 一个
pf / w
20
15
10
5
0
vo = 0.550 v
rs = 0.010 ohms
tmb(最大值) / c
150
143
136
129
122
10 26
d = 1.0
0.5
0.2
0.1
d =
t
p
t
p
T
T
I
t
10 30 50 70 90
100
10
1
0.1
0.01
ir/ 毫安
vr/ v
PBYR30100PT
20 40 60 80 100
tj/ c = 150
125
100
75
50
0 10
PBYR30100
如果(av) / 一个
pf / w
15
10
5
0
一个 = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
vo = 0.550 v
rs = 0.010 ohms
5 15
150
143
136
129
tmb(最大值) / c
1 10 100
10000
1000
100
10
cd/ pf
vr/ v
PBYR30100PT
0 1 2
PBYR30100PT
vf / v
如果 / 一个
100
80
60
40
20
0
0.5 1.5
tj = 25 c
tj = 125 c
典型值
最大值
10
1
0.1
0.01
10us 1ms 0.1s 10s
tp / s
zth j-mb (k/w)
P
t
p
t
D
october 1994 3 rev 1.100
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