IRG4BC30KD
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repetitive 比率: v
GE
=20v; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
(图示 20)
V
CC
=80%(v
CES
), v
GE
=20v, l=10µh, r
G
= 23
Ω
(图示 19)
脉冲波 宽度
≤
80µs; 职责 因素
≤
0.1%.
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
3 x
2.92 (.115)
2.64 (.104)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
- b-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- 一个-
6.47 (.255)
6.10 (.240)
1.15 (.045)
M在
4.06 (.160)
3.55 (.140)
3 x
3.96(.160 )
3.55 (.140 )
3 x
0.93(.037 )
0.69 (.027 )
0.36 (.014) m b 一个 m
10.54 (.415)
10.29 (.405)2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
1.40 (.055)
1.15 (.045)
3 x
2.54 (.100)
2X
1 2 3
4
遵从 至 电子元件工业联合会 外形 至-220ab
D im e ns io ns 在M illim e ters一个nd (在ches)
含铅的 assignments
1 - g一个TE
2 - cOLLE C至 R
3 - em 它TER
4 - cOLLE C至 R
注释:
1 维度 &放大; tolerancing
每 ansi y14.5m, 1982.
2 controlling 维度 : inch.
3 dIM ENSIONS一个RE SHO W N
M ILLIM ETER S(英寸).
4 遵从 至 电子元件工业联合会 外形
至-220ab.
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