IRG4BC30K-S_集成电路资料查询网

irg4bc30k-s
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
67 100 I
C
= 16a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
11 16 nC V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
25 37 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
26
—
t
r
上升 时间
—
28
—
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
130 200 I
C
= 16a, v
CC
= 480v
t
f
下降 时间
—
120 170 V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.36
—
活力 losses 包含 "tail"
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.51
—
mJ 看 图. 9,10,14
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.87 1.3
t
sc
短的 电路 承受 时间 10
——
µs V
CC
= 400v, t
J
= 125
°
C
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
, v
CPK
< 500v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
25
—
T
J
= 150
°
c,
t
r
上升 时间
—
29
—
I
C
= 16a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
190
—
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
t
f
下降 时间
—
190
—
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
—
1.2
—
mJ 看 图. 11,14
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.26
—
T
J
= 25
°
C
,
V
GE
= 15v,  r
G
= 23
Ω
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.36
—
mJ I
C
= 14a,  v
CC
= 480v
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.62
—
活力 losses 包含 "tail"
L
E
内部的 发射级 电感
—
7.5
—
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
920
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
110
—
pF V
CC
=30V 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
27
—ƒ
= 1.0mhz
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 600
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压

18
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
∆
V
(br)ces
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.54
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
—
2.21
—
I
C
= 14a
—
2.21 2.7 I
C
= 16a                          v
GE
= 15v
—
2.88
—
I
C
= 28a 看 图.2, 5
—
2.36
—
I
C
= 16a , t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
—
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-12
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导

5.4 8.1
—
SV
CE
=
100v, i
C
= 16a
——
250 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
2.0 µ 一个 V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25
°
C
——
1100 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 n 一个 V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
VV
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
详细信息 的 便条

通过

是 在 这 last 页
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns

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irg4bc30k-s 2 www.irf.com 参数最小值典型值最大值单位情况 Q g 总的门承担 (转变-在) — 67 100 I C = 16a Q ge 门 - 发射级承担 (转变-在) — 11 16 nC V CC = 400v 看图.8 Q gc 门 - 集电级承担 (转变-在) — 25 37 V GE = 15v t d(在) 转变-在延迟时间 — 26 — t r 上升时间 — 28 — T J = 25 ° C t d(止) 转变-止延迟时间 — 130 200 I C = 16a, v CC = 480v t f 下降时间 — 120 170 V GE = 15v, r G = 23 Ω E 在转变-在切换丧失 — 0.36 — 活力 losses 包含 "tail" E 止转变-止切换丧失 — 0.51 — mJ 看图. 9,10,14 E ts 总的切换丧失 — 0.87 1.3 t sc 短的电路承受时间 10 —— µs V CC = 400v, t J = 125 ° C V GE = 15v, r G = 23 Ω , v CPK < 500v t d(在) 转变-在延迟时间 — 25 — T J = 150 ° c, t r 上升时间 — 29 — I C = 16a, v CC = 480v t d(止) 转变-止延迟时间 — 190 — V GE = 15v, r G = 23 Ω t f 下降时间 — 190 — 活力 losses 包含 "tail" E ts 总的切换丧失 — 1.2 — mJ 看图. 11,14 E 在转变-在切换丧失 — 0.26 — T J = 25 ° C , V GE = 15v, r G = 23 Ω E 止转变-止切换丧失 — 0.36 — mJ I C = 14a, v CC = 480v E ts 总的切换丧失 — 0.62 — 活力 losses 包含 "tail" L E 内部的发射级电感 — 7.5 — nH 量过的 5mm 从包装 C ies 输入电容 — 920 — V GE = 0v C oes 输出电容 — 110 — pF V CC =30V 看图. 7 C res 反转转移电容 — 27 —ƒ = 1.0mhz 参数最小值典型值最大值单位情况 V (br)ces 集电级-至-发射级损坏电压 600 —— VV GE = 0v, i C = 250µa V (br)ecs 发射级-至-集电级损坏电压  18 —— VV GE = 0v, i C = 1.0a ∆ V (br)ces / ∆ T J 温度 coeff. 的损坏电压 — 0.54 — v/ ° CV GE = 0v, i C = 1.0ma — 2.21 — I C = 14a — 2.21 2.7 I C = 16a v GE = 15v — 2.88 — I C = 28a 看图.2, 5 — 2.36 — I C = 16a , t J = 150 ° C V ge(th) 门门槛电压 3.0 — 6.0 V CE = v GE , i C = 250µa ∆ V ge(th) / ∆ T J 温度 coeff. 的门槛电压 — -12 — mv/ ° CV CE = v GE , i C = 250µa g fe 向前跨导  5.4 8.1 — SV CE = 100v, i C = 16a —— 250 V GE = 0v, v CE = 600v I CES 零门电压集电级电流 —— 2.0 µ 一个 V GE = 0v, v CE = 10v, t J = 25 ° C —— 1100 V GE = 0v, v CE = 600v, t J = 150 ° C I GES 门-至-发射级泄漏电流 —— ±100 n 一个 V GE = ±20v 电的特性 @ t J = 25°c (除非否则指定) VV ce(在) 集电级-至-发射级饱和电压详细信息的便条  通过  是在这 last 页切换特性 @ t J = 25°c (除非否则指定) ns ns

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