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资料编号:54165
资料名称:
IRG4BC30FD
文件大小: 412.64K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
: 点此下载
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10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4BC30FD
www.irf.com
7
图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
0
200
400
600
100
1000
f
d
i /d
t - (一个
/µ
s)
RR
Q
- (n
C
)
i = 6.0a
i =
1
2
一个
i =
24A
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
F
F
F
10
100
1000
10000
100
1000
f
d
i /d
t - (一个
/µ
s)
d
i(rec)m
/d
t - (一个
/µ
s)
i =
1
2
一个
i =
24A
i = 6.0a
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
0
40
80
120
160
100
1000
f
d
i /d
t - (一个
/µ
s)
t - (n
s)
rr
i =
24A
i =
1
2
一个
i =
6
.0a
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
1
10
100
100
1000
f
di /dt - (一个
/µs)
i - (一个
)
IRRM
i = 6.0a
i =
12A
i =
24A
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
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