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资料编号:541912
 
资料名称:PC28F640J3A-110
 
文件大小: 905.78K
   
说明
 
介绍:
Intel StrataFlash Memory (J3)
 
 


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256-mbit j3 (x8/x16)
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数据手册
6.2 直流 电压 特性
I
CCE
V
CC
块 擦掉 或者 clear
块 锁-位 电流
35 70 毫安 cmos 输入, v
PEN
= v
CC
1,4
40 80 毫安 ttl 输入, v
PEN
= v
CC
I
CCWS
I
CCES
V
CC
程序 suspend 或者
块 擦掉 suspend
电流
10 毫安 设备 是 使能 (看表格 13)1,5
注释:
1. 所有 电流 是 在 rms 除非 否则 指出. 这些 电流 是 有效的 为 所有 产品 版本 (包装 和
speeds). 联系 intel’s 应用 支持 hotline 或者 your local 销售 办公室 为 信息 关于 典型
规格.
2. 包含 sts.
3. cmos 输入 是 也 v
CC
± 0.2 v 或者 地 ± 0.2 v. ttl 输入 是 也 v
IL
或者 v
IH
.
4. 抽样, 不 100% 测试.
5. I
CCWS
和 i
CCES
是 指定 和 这 设备 选择. 如果 这 设备 是 读 或者 写 当 在 擦掉 suspend
模式, 这 设备的 电流 绘制 是 i
CCR
和 i
CCWS
表格 7. 直流 电压 特性
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况 注释
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.8 V 2, 6
V
IH
输入 高 电压 2.0
V
CCQ
+ 0.5
v2,6
V
OL
输出 低 电压
0.4 V
V
CCQ
= v
CCQ
最小值
I
OL
= 2 毫安
1,2
0.2 V
V
CCQ
= v
CCQ
最小值
I
OL
= 100 µa
V
OH
输出 高 电压
0.85
×
V
CCQ
V
V
CCQ
= v
CCQ
最小值
I
OH
= –2.5 毫安
1,2
V
CCQ
0.2
V
V
CCQ
= v
CCQ
最小值
I
OH
= –100 µa
V
PENLK
V
PEN
lockout 在 程序,
擦掉 和 锁-位 行动
2.2 V 2,3,4,7
表格 6. 直流 电流 特性 (薄板 2 的 2)
VCCQ 2.7 - 3.6v
测试 情况 注释VCC 2.7 - 3.6v
标识 参数 典型值 最大值 单位
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