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资料编号:54524
 
资料名称:CD40174BMS
 
文件大小: 70.04K
   
说明
 
介绍:
CMOS Hex ‘D’-Type Flip-Flop
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
7-1387
specifications cd40174bms
输出 电流 (源) IOH15 vdd =15v, vout = 13.5v 1, 2 +125
o
C - -2.4 毫安
-55
o
C - -4.2 毫安
输入 电压 低 VIL vdd = 10v, voh > 9v,
vol < 1v
1, 2 +25
o
c, +125
o
c,
-55
o
C
-3v
输入 电压 高 VIH vdd = 10v, voh > 9v,
vol < 1v
1, 2 +25
o
c, +125
o
c,
-55
o
C
+7 - V
传播 延迟
时钟 至 输出
TPHL1
TPLH1
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 140 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 100 ns
传播 延迟
clear 至 输出
TPHL2 vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 100 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 80 ns
转变 时间 TTHL
TTLH
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 100 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 80 ns
最大 时钟 输入
频率
FCL vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C 6 - MHz
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C 8 - MHz
最小 数据 建制
时间
TS vdd = 5v 1, 2, 3 +25
o
C - 40 ns
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 20 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 10 ns
最小 数据 支撑 时间 TH vdd = 5v 1, 2, 3 +25
o
C - 80 ns
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 40 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 30 ns
最小 时钟 脉冲波
宽度
TW vdd = 5v 1, 2, 3 +25
o
C - 130 ns
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 60 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 40 ns
最大 时钟 上升 和
下降 时间
TRCL
TFCL
vdd = 5v 1, 2, 3, 4 +25
o
c15-
µ
s
vdd = 10v 1, 2, 3, 4 +25
o
c15-
µ
s
vdd = 15v 1, 2, 3, 4 +25
o
c15-
µ
s
最小 CLEAR
除去 时间
TREM vdd = 5v 1, 2, 3 +25
o
c-0ns
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
c-0ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
c-0ns
最小 clear 脉冲波
宽度
TW vdd = 5v 1, 2, 3 +25
o
C - 100 ns
vdd = 10v 1, 2, 3 +25
o
C - 50 ns
vdd = 15v 1, 2, 3 +25
o
C - 40 ns
输入 电容 CIN CLEAR 1, 2 +25
o
C - 40 pF
所有 其他 1, 2 +25
o
C - 7.5 pF
注释:
1. 所有 电压 关联 至 设备 地.
2. 这 参数 列表 在 表格 3 是 控制 通过 设计 或者 处理 和 是 不 直接地 测试. 这些 参数 是 典型
在 最初的 设计 释放 和 在之上 设计 改变 这个 将 影响 这些 特性.
3. cl = 50pf, rl = 200k, 输入 tr, tf < 20ns.
4. 如果 更多 比 一个 单位 是 倾泻, trcl 应当 是 制造 较少 比 或者 equal 至 这 sumof 这 转变 时间 和 这 fixed 传播
延迟 的 这 输出 的 这 驱动 平台 为 这 estimated 电容的 加载.
表格 3. 电的 效能 特性
(持续)
参数 标识 情况 注释 温度
限制
UNITSMIN 最大值
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