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资料编号:54524
 
资料名称:CD40174BMS
 
文件大小: 70.04K
   
说明
 
介绍:
CMOS Hex ‘D’-Type Flip-Flop
 
 


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7-1391
CD40174BMS
图示 8. 典型 传播 延迟 时间 (时钟 至 输出) 作 一个 函数 的 加载 电容
典型 效能 曲线
(持续)
包围的 温度 (t
一个
) = +25
o
C
供应 电压 (vdd) = 5v
10V
15V
加载 电容 (cl) (pf)
传播 延迟 时间 (tphl, tplh) (ns)
0 102030405060708090100
0
25
50
75
100
125
150
175
200
波形
图示 9. 定义 的 建制, 支撑, 传播
延迟, 和 除去 时间
时钟
输入
数据
输入
输出
VDD
CLEAR
0
90%
50%
10%
VDD
50%
50%
0
0
0
tr cl tf cl
th(hl)* th(lh)*
tsu(hl)*
tsu(lh)*
tTLH tTHL
tPHLtPLH
tREM
90%
50%
10%
VDD
VDD
*(lh) 或者 (hl) optional
垫子 布局
维度 和 垫子 布局 为 cd40174bmsh
这 photographs 和 维度 的 各自 cmos 碎片 代表 一个 碎片 当
它 是 部分 的 这 薄脆饼. 当 这 薄脆饼 是 separated 在 单独的 碎片, 这 一个-
gle 的 cleavage 将 相异 和 遵守 至 这 碎片 面向 为 不同的 碎片. 这
真实的 维度 的 这 分开的 碎片, 因此, 将 differ slightly 从 这
名义上的 维度 显示. 这 用户 应当 考虑 一个 容忍 的 -3 毫英寸 至
+16 毫英寸 适用 至 这 名义上的 维度 显示.
维度 在 parenthesis 是 在 毫米 和 是 获得 从 这 基本 inch
维度 作 表明. grid graduations 是 在 毫英寸 (10
-3
inch).
敷金属:
厚度: 11k
Å
14k
Å, al.
passivation:
10.4kÅ - 15.6k
Å
, silane
bond 焊盘:
0.004 英寸 x 0.004 英寸 最小值
消逝 厚度:
0.0198 英寸 - 0.0218 英寸
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