6 04-02-004h
国际的
CMOS
技术
®
PEEL
TM
18CV8
绝对 最大 比率
运行 范围
标识 参数 情况 比率 单位
V
CC
供应 电压 相关的 至 地面 -0.5 至 + 6.0 V
V
I
, v
O
电压 应用 至 任何 管脚
2
相关的 至 地面
1
-0.5 至 v
CC
+ 0.6 V
I
O
输出 电流 每 管脚 (i
OL
, i
OH
)±25ma
T
ST
存储 温度 -65 至 +150 °C
T
LT
含铅的 温度 焊接 10 秒 +300 °C
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
Vcc 供应 电压
商业的 4.75 5.25 V
工业的 4.5 5.5 V
T
一个
包围的 温度
商业的 0 +70 °C
工业的 -40 +85 °C
T
R
时钟 上升 时间 看 便条 3. 20 ns
T
F
时钟 下降 时间 看 便条 3. 20 ns
T
RVCC
V
CC
上升 时间 看 便条 3. 250 ms
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 - ttl V
CC
= 最小值, i
OH
= -4.0 毫安 2.4 V
V
OHC
输出 高 电压 - cmos
12
V
CC
= 最小值, i
OH
= -10 µa vcc - 0.3 V
V
OL
输出 低 电压 - ttl
V
CC
= 最小值, i
OL
= 16ma/24ma
13
0.5 V
V
OLC
输出 低 电压 - cmos
12
V
CC
= 最小值, i
OL
= 10 µa 0.15 V
V
IH
输入 高 水平的 2.0 V
CC
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压 -0.3 0.8 V
I
IL
输入, i/o 泄漏 电流 低
输入 和 i/o 拉-ups 无能
vcc = 最大值, vin = 地, i/o = 高 z -10 µA
I
IP
输入, i/o 泄漏 电流 低
输入 和 i/o 拉-ups 使能
vcc = 最大值, vin = 地, i/o = 高 z -100 µA
I
IH
输入, i/o 泄漏 电流 高 vcc = 最大值, vin = v
CC
, i/o = 高 z 0 (典型) 40 µA
I
SC
9
输出 短的 电路 电流 V
CC
= 5v, v
O
= 0.5v, ta = 25°c -30 -135 毫安
I
CC
10
V
CC
电流, f=1mhz
vin = 0v 或者 v
CC
,
f = 25 mhz
所有 输出 无能
4
-5 90
毫安
-7 90
-10 110/115
-15 45/55
-25 37/50
C
在
7
输入 电容
ta = 25°c, vcc = 5.0v
@ f = 1 mhz
6pF
C
输出
7
输出 电容 12 pF
d.c. 电的 特性
在 这 运行 范围 (除非 否则 指定)
这个 设备 有 被 设计 和 测试 为 这 指定
运行 范围. 恰当的 运作 外部 的 这些 水平
是 不 有保证的. 暴露 至 绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏.
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