9397 750 13344 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
产品 数据 薄板 rev. 02 — 27 将 2004 4 的 11
飞利浦 半导体
PESD5V0S2BT
低 电容 bi-directional 翻倍 静电释放 保护 二极管
6. 特性
[1] 非-repetitive 电流 脉冲波 8/20
µ
s exponential decay 波形, 看 图示 3.
[2] 量过的 从 管脚 1 至 3 或者 管脚 2 至 3.
表格 8: 电的 特性
T
amb
= 25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
每 二极管
V
RWM
反转 保卫-止
电压
-- 5V
I
RM
反转 泄漏
电流
V
RWM
= 5 v - 5 100 nA
V
(cl)r
夹紧 电压 I
pp
= 1 一个
[1] [2]
- - 10 V
I
pp
= 12 一个
[1] [2]
- - 14 V
V
BR
损坏 电压 I
R
= 1 毫安 5.5 - 9.5 V
r
diff
差别的
阻抗
I
R
= 1 毫安 - - 50
Ω
C
d
二极管 电容 f = 1 mhz; v
R
= 0 v - 35 45 pF
T
amb
= 25
°
c.
t
p
= 8/20
µ
s exponential decay 波形; 看
图示 1.
T
amb
= 25
°
c.
图 3. 顶峰 脉冲波 电源 消耗 作 一个 函数 的
脉冲波 时间; 典型 值.
图 4. 相关的 变化 的 顶峰 脉冲波 电源 作 一个
函数 的 接合面 温度; 典型
值.
001aaa632
t
p
(
µ
s)
110
4
10
3
10 10
2
10
2
10
3
P
pp
(w)
10
T
j
(
°
c)
0 20015050 100
001aaa633
0.4
0.8
1.2
P
pp
0
P
pp(25
°
c)