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资料编号：545861
 
资料名称：PF08103A
 
文件大小： 42.39K
   
说明：
 
介绍:
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PF08103A
3
内部的 图解 和 外部 电路
管脚
Pout
DCS
C3
C1
Pout
GSM
偏差 电路
8
3
5
4
721
V
CTL
V
CTL
Vapc Vdd2Vdd1
V
CTL
V
CTL
Vapc Vdd2Vdd1
6
管脚
便条: c1 = c2 = 4.7
µ
f tantalum electrolyte
c3 = c4 = 0.01
µ
f 陶瓷的 碎片
c5 = c6 = c7 = 1000 pf 陶瓷的 碎片
fb = ferrite bead blo1rn1-a62-001 (murata) 或者 相等的
z1 = z2 = z3 = 50
Ω
微观的 strip 线条
Pout
DCS
C5
FB
Z1 Z2
Pout
GSM
Z3
FB FB
C6 C7 C4
C2
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