1999 Apr 27 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 切换 晶体管 PH2369
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 250 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=20V
−
400 nA
I
E
= 0; v
CB
=20v; t
j
= 125
°
C
−
30
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=4V
−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 1 V 40 120
I
C
= 10 毫安; v
CE
=1v; t
amb
=
−
55
°
C20
−
I
C
= 100 毫安; v
CE
=2V 20
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
=1mA
−
250 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 1 毫安 700 850 mV
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 5 v; f = 1 MHz
−
4pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=1v; f=1mhz
−
4.5 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 v; f = 100 MHz 500
−
MHz
切换 时间 (在 10% 和 90% 水平)
t
在
转变-在 时间 I
Con
= 10 毫安; i
Bon
= 3 毫安; i
Boff
=
−
1.5 毫安;
看 图.2 测试 情况 一个
−
10 ns
t
d
延迟 时间
−
4ns
t
r
上升 时间
−
6ns
t
止
转变-止 时间
−
20 ns
t
s
存储 时间
−
10 ns
t
f
下降 时间
−
10 ns
t
在
转变-在 时间 I
Con
= 100 毫安; i
Bon
= 40 毫安; i
Boff
=
−
20 毫安;
看 图.2 测试 情况 b
−
13 ns
t
止
转变-止 时间
−
35 ns
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