飞利浦 半导体
PH4840S
n-频道 trenchmos™ intermediate 水平的 场效应晶体管
初步的 数据 rev. 01 — 04 march 2004 5 的 12
9397 750 12814
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6. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 10 毫安; v
GS
=0V 40 - - V
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C123V
T
j
= 150
°
C 0.5 - - V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=40v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C - 0.06 1
µ
一个
T
j
= 150
°
C - - 500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
= 0 V - 2 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
=25a;图示 7 和 8 -
T
j
=25
°
C - 3.5 4.1 m
Ω
T
j
= 150
°
C - 5.6 7.0 m
Ω
V
GS
=7v; i
D
=25a;图示 7 和 8 - 3.85 4.8 m
Ω
动态 特性
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 30 一个; v
DD
=32v; v
GS
=10v;图示 13 -67-nc
Q
gs
门-源 承担 - 8.6 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 16 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 10 v; f = 1 mhz; 图示 11 -3660-pf
C
oss
输出 电容 - 877 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 454 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=20v; i
D
=25a;
V
GS
=10v;r
G
= 4.7
Ω
-21-ns
t
r
上升 时间 -35-ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 82 - ns
t
f
下降 时间 -31-ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 25 一个; v
GS
=0v;图示 12 - 0.85 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 20 一个; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s; v
GS
=0V - 46 - ns