PH955L_集成电路资料查询网

1. 产品 proﬁle
1.1 一般 描述
逻辑 水平的 n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管 (场效应晶体管) 在 一个 塑料
包装 使用 trenchmos™ 技术.
1.2 特性
1.3 产品
1.4 快 涉及 数据
2. 固定 信息
PH955L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
rev. 01 — 1 march 2005 产品 数据 薄板
■
逻辑 水平的 门槛
■
非常 低 在-状态 阻抗
■
直流-至-直流 转换器
■
发动机, lamps 和 solenoids
■
一般 目的 电源 切换
■
可携带的 器具
■
V
DS
≤
55 V
■
I
D
≤
62.5 一个
■
R
DSon
≤
8.3 m
Ω
■
Q
gd
= 16.4 nc (典型值)
表格 1: 固定
管脚 描述 simpliﬁed 外形 标识
1, 2, 3 源 (s)
sot669 (lfpak)
4 门 (g)
mb 挂载 根基; 连接 至 流 (d)
mb
1234
S
D
G
mbb076

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

1. 产品 proﬁle 1.1 一般描述逻辑水平的 n-频道增强模式地方效应晶体管 (场效应晶体管) 在一个塑料包装使用 trenchmos™ 技术. 1.2 特性 1.3 产品 1.4 快涉及数据 2. 固定信息 PH955L n-频道 trenchmos™ 逻辑水平的场效应晶体管 rev. 01 — 1 march 2005 产品数据薄板 ■ 逻辑水平的门槛 ■ 非常低在-状态阻抗 ■ 直流-至-直流转换器 ■ 发动机, lamps 和 solenoids ■ 一般目的电源切换 ■ 可携带的器具 ■ V DS ≤ 55 V ■ I D ≤ 62.5 一个 ■ R DSon ≤ 8.3 m Ω ■ Q gd = 16.4 nc (典型值) 表格 1: 固定管脚描述 simpliﬁed 外形标识 1, 2, 3 源 (s) sot669 (lfpak) 4 门 (g) mb 挂载根基; 连接至流 (d) mb 1234 S D G mbb076

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com