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产品 数据 薄板 rev. 01 — 1 march 2005 6 的 12
飞利浦 半导体
PH955L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值
图 6. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值
T
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>i
D
×
R
DSon
图 7. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度
003aaa779
0
10
20
30
40
0 0.5 1 1.5 2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
2.5
3
2.1
5
10
2.3
V
GS
(v) = 2.2
2
003aaa782
0
4
8
12
16
20
0 10203040
I
D
(一个)
R
DSon
(m
Ω
)
3
10
2.3
V
GS
(v) = 2.5
2.1
2.2
2
4.5
003aaa780
0
10
20
30
40
0123
V
GS
(v)
I
D
(一个)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
03aa28
0
0.6
1.2
1.8
2.4
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=