飞利浦 半导体 初步的 规格
TrenchMOS
晶体管 PHD24N03LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
电的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安; 30 - - V
电压 T
j
= -55˚c 27 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
T
j
= 175˚c 0.5 - - V
T
j
= -55˚c - - 2.3 V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 10 v; i
D
= 12 一个 - 50 56 m
Ω
阻抗 V
GS
= 5 v; i
D
= 12 一个 - 45 50 m
Ω
T
j
= 175˚c - - 104 m
Ω
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
= 0 v - 10 100 nA
I
DSS
零 门 电压 流 V
DS
= 30 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
电流 T
j
= 175˚c - - 500
µ
一个
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 24 一个; v
DD
= 15 v; v
GS
= 5 v - 7 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 2.3 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 5 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 15 v; r
D
= 0.6
Ω
; - 12 - ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 5 v; r
G
= 10
Ω
-50-ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 30 - ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 36 - ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 tab 至 centre 的 消逝 - 3.5 - nH
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 至 源 - 7.5 - nH
bond 垫子
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 460 - pF
C
oss
输出 电容 - 144 - pF
C
rss
反馈 电容 - 78 - pF
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 - - 24 一个
(身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 (身体 - - 96 一个
二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 24 一个; v
GS
= 0 v - 1.05 1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 12 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 50 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= 0 v; v
R
= 30 v - 100 - nC
avalanche 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
W
DSS
流-源 非-repetitive I
D
= 12 一个; v
DD
≤
15 v; v
GS
= 5 v; - 15 mJ
unclamped inductive 转变-止 R
GS
= 50
Ω
; t
mb
= 25 ˚c
活力
12月 1999 2 rev 1.100
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