飞利浦 半导体 初步的 规格
TrenchMOS
晶体管 PHD24N03LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
5 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1us 10us 100us 1ms 10ms 0.1s 1s 10s
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
PHP24N03T
脉冲波 宽度, tp (s)
瞬时 热的 阻抗, zth j-mb (k/w)
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
d =
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25 30
0
5
10
15
20
vgs = 2.5 v
3 v
3.5 v
PHP24N03LT
vds, 流-源 电压 (伏特)
id, 流 电流 (放大器)
5 v
15 v
tj = 25 c
1 10 100
1
10
100
PHP24N03T
vds, 流-源 电压 (伏特)
id, 流 电流 (放大器)
100 美国
1 ms
10 ms
直流
10 美国
rds(在) = vds/id
tmb = 25 c
0 5 10 15 20
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
PHP24N03LT
id, 流 电流 (放大器)
rds(在), 流-源 在 阻抗 (ohms)
vgs = 2.5 v
3 v
3.5 v
5 v
15 v
tj = 25 c
12月 1999 3 rev 1.100
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