飞利浦 半导体 初步的 规格
TrenchMOS
晶体管 PHD24N03LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
); 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
)
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 12 一个; v
GS
= 5 v
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
012345
0
5
10
15
20
PHP24N03LT
门-源 电压, vgs (v)
流 电流, id (一个)
tj = 25 c
175 c
vds = 25 v
-100 -50 0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
tj / c
vgs(至) / v
最大值
典型值
最小值
0 5 10 15 20
0
5
10
15
PHP24N03LT
流 电流, id (一个)
跨导, gfs (s)
tj = 25 c
vds = 25 v
175 c
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
1e-05
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
sub-门槛 传导
2% 典型值
98%
-100 0 100 200
0
0.5
1
1.5
2
30v trenchmos
tj / c
一个
15050-50
1 10 100 1000
10
100
1000
PHP24N03LT
流-源 电压, vds (v)
capacitances ciss, coss, crss (pf)
Ciss
Coss
Crss
tj = 25 c
12月 1999 4 rev 1.100
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