关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:547550
资料名称:
PHD24N03LT
文件大小: 50.88K
说明
:
介绍
:
TrenchMOS transistor Logic level FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体
初步的 规格
TrenchMOS
晶体管
PHD24N03LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 参数 v
DS
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 参数 t
j
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
PHP24N03LT
qg, 门 承担 (nc)
vgs, 门-源 电压 (伏特)
vdd = 15 v
id = 24 一个
tj = 25 c
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
PHP24N03LT
源-流 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果(一个)
tj = 25 c
vgs = 0 v
175 c
12月 1999
5
rev 1.100
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com